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中国电子科技集团公司第四十六研究所
中国电子科技集团公司第四十六研究所的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN106206431A | 一种制作异形硅单晶抛光片的方法 | 2016.12.07 | 本发明公开了一种用于制作异形硅单晶抛光片的方法，包括硅单晶抛光片圆片的制备、贴膜、激光划片、揭膜、清 |
| 2 | CN1787178A | 一种砷化镓晶片清洗方法 | 2006.06.14 | 本发明公开了一种砷化镓晶片清洗方法，包括以下基本步骤：(1)采用第一溶液进行第一次兆声清洗；(2)第 |
| 3 | CN205484902U | 一种高功率光纤耦合器封装用装置 | 2016.08.17 | 本实用新型公开了一种高功率光纤耦合器封装用装置。该装置包括由三个初步光纤和光纤束固定结构件、一个二步 |
| 4 | CN106002498A | 一种有机DAST晶体的表面研磨工艺方法 | 2016.10.12 | 本发明公开了一种有机DAST晶体的表面研磨工艺方法。其流程为：①在5000#砂纸上进行DAST晶体表 |
| 5 | CN106000977A | 一种砷化镓单晶片清洗的方法 | 2016.10.12 | 本发明涉及一种砷化镓单晶片清洗的方法，包括：砷化镓单晶片抛光处理后，用无水乙醇清洗，去离子水冲洗，再 |
| 6 | CN101655427A | 一种锗单晶片位错腐蚀检测方法 | 2010.02.24 | 本发明公开了一种锗单晶片位错腐蚀检测方法，包括以下步骤：将经过抛光的锗单晶片放入由氢氟酸、硝酸和硝酸 |
| 7 | CN106221163A | 一种3D打印用环保型改性聚乳酸材料及其制备工艺 | 2016.12.14 | 本发明公开了一种3D打印用环保型改性聚乳酸材料及其制备工艺。该材料组成：聚乳酸99.98%，其水分含 |
| 8 | CN1786275A | 一种机械化学抛光方法 | 2006.06.14 | 本发明公开了一种机械化学抛光方法。该方法包括以下步骤：(1)将晶片放在抛光机上进行常规机械化学抛光， |
| 9 | CN106239306A | 一种变R值晶片边缘倒角方法 | 2016.12.21 | 本发明涉及一种变R值晶片边缘倒角方法，步骤为首先进行砂轮设计，针对半导体晶片的厚度设计一个具有三种R |
| 10 | CN106595627A | 一种光纤环圈骨架及其浸胶固化方法 | 2017.04.26 | 本发明公开了一种光纤环圈骨架及其浸胶固化方法，该方法采用具有水平通孔的光纤环圈骨架，骨架内表面等距地 |
| 11 | CN104816559B | 一种半导体材料的激光打标方法 | 2017.04.12 | 本发明涉及一种半导体材料的激光打标方法，具体步骤包括一、根据半导体材料的直径设计夹具,二、将夹具放到 |
| 12 | CN105043437B | 一种偏振保持光纤主轴内旋转参数的测量方法 | 2017.04.12 | 本发明公开了一种偏振保持光纤主轴内旋转参数的测量方法。本方法基于任意一个平面角在围绕角度测量起始轴翻 |
| 13 | CN106495462A | 一种变径光纤拉制装置及拉制方法 | 2017.03.15 | 本发明涉及一种变径光纤拉制装置及拉制方法，采用变速送棒控制模块操控拉丝塔的送棒装置上升或下降速度、上 |
| 14 | CN106498491A | 一种气相法晶体生长用原料的提纯装置及其提纯方法 | 2017.03.15 | 本发明公开了一种气相法晶体生长用原料的提纯装置及其提纯方法。该装置为两端开口的石英管，在A端水平放置 |
| 15 | CN106495461A | 一种掺稀土光纤预制棒气相掺杂加热保温装置及掺杂方法 | 2017.03.15 | 本发明涉及一种掺稀土光纤预制棒气相掺杂加热保温装置及掺杂方法，改进了传统的掺稀土光纤预制棒单喷灯加热 |
| 16 | CN106498494A | 一种ＭＥＭＳ器件制作用硅单晶材料的热场和制备方法 | 2017.03.15 | 本发明涉及一种ＭＥＭＳ器件制作用硅单晶材料的热场和制备方法，改变了单晶炉热场的上下保温层厚度，优化了 |
| 17 | CN106498495A | 一种真空区熔硅单晶生长用加热线圈的表面预处理方法 | 2017.03.15 | 本发明提供了一种真空区熔硅单晶生长用加热线圈的表面预处理方法，第一步、线圈表面喷砂：第二歩、线圈表面 |
| 18 | CN104556674B | 一种稀土离子共掺光纤预制棒的制备方法 | 2017.03.08 | 本发明涉及一种稀土离子共掺光纤预制棒的制备方法。分别配制多种稀土离子和铝离子共掺剂的水溶液；选择石英 |
| 19 | CN104359375B | 一种单晶片厚度测量装置 | 2017.03.01 | 本发明涉及一种单晶片厚度测量装置，该装置包括测试台、测试环、横梁和千分表；测试台一侧向上设有螺纹孔， |
| 20 | CN106435710A | 一种锑化镓晶体生长除杂装置 | 2017.02.22 | 本发明公开了一种锑化镓晶体生长除杂装置。该除杂装置包括除杂连接件和除杂坩埚两部分，并通过除杂连接件与 |
| 21 | CN205968690U | 一种加工晶片边缘倒角用变半径值砂轮 | 2017.02.22 | 本实用新型涉及一种加工晶片边缘倒角用变半径值砂轮，在砂轮圆周面有数组并列的变半径值槽，每组变半径值槽 |
| 22 | CN106425105A | 一种砷化镓晶片打印激光标识的方法 | 2017.02.22 | 本发明涉及一种砷化镓晶片打印激光标识的方法，步骤如下：激光的参数为，激光波长范围300～870nm， |
| 23 | CN104593860B | 一种VB/VGF单晶生长用支撑结构及其加工方法 | 2017.02.22 | 本发明公开了一种VB/VGF单晶生长用支撑结构及其加工方法，加工步骤：将莫来石外套一端内壁加工出弧度 |
| 24 | CN106399962A | 一种提高磁控溅射镀膜均匀性及稳定性的靶材基座 | 2017.02.15 | 本发明公开了一种提高磁控溅射镀膜均匀性及稳定性的靶材基座。该设计在基座下部安装可使基座旋转用于调整高 |
| 25 | CN106391567A | 一种去除单晶硅片酸腐蚀斑痕的方法 | 2017.02.15 | 本发明公开了一种去除单晶硅片酸腐蚀斑痕的方法。在单晶硅片经过酸腐蚀之后，浸入由氨水、双氧水和去离子水 |
| 26 | CN104237642B | 一种霍尔电阻率自动测试方法 | 2017.02.15 | 本发明涉及一种霍尔电阻率自动测试方法，以计算机为测试平台，测试硬件主要包括：计算机、数字电流表、数字 |
| 27 | CN106405738A | 一种增加光纤损伤阈值的激光预处理方法 | 2017.02.15 | 本发明公开了一种增加光纤损伤阈值的激光预处理方法，其步骤：使用CO<sub>2</sub>激光器、H |
| 28 | CN104404615B | 一种锑化镓单晶生长的平面结晶界面控制结构及使用方法 | 2017.02.08 | 本发明涉及一种锑化镓单晶生长的平面结晶界面控制结构及使用方法。该结构包括石英安瓿瓶、石英坩埚、石墨锭 |
| 29 | CN106378671A | 一种大尺寸的CdS单晶片的减薄工艺 | 2017.02.08 | 本发明涉及一种大尺寸的CdS单晶片的减薄工艺，三片2英寸CdS单晶片粘贴在陶瓷盘上，用1200#树脂 |
| 30 | CN106370679A | 一种半导体晶片notch槽晶向测量装置及使用方法 | 2017.02.01 | 本发明涉及一种半导体晶片Notch槽晶向测量的装置及使用方法，采用X射线定向仪，X射线定向仪的圆形工 |
| 31 | CN104998860B | 一种有机DAST晶体的表面清洗工艺 | 2017.01.25 | 本发明公开了一种有机DAST晶体的表面清洗工艺。该清洗工艺流程为：1、将DAST晶体置于由按体积比7 |
| 32 | CN104608020B | 一种双包层光纤八角形内包层的加工方法及夹具 | 2017.01.18 | 本发明涉及一种双包层光纤八角形内包层的加工方法及夹具，夹具包括夹具座、夹子、紧固螺钉，夹具座的一顶端 |
| 33 | CN106336496A | 一种用于3D打印的改性聚乳酸材料及其制备方法 | 2017.01.18 | 本发明涉及一种用于3D打印的改性聚乳酸材料及其制备方法，各种原材料的质量百分数配比为，末端为羟基的乳 |
| 34 | CN106319619A | 一种6英寸直拉重掺硅单晶无位错生长工艺及其热场系统 | 2017.01.11 | 本发明公开了一种6英寸直拉重掺硅单晶无位错生长工艺及其热场系统。即熔晶中稳定时间为50‑60分钟，平 |
| 35 | CN106319633A | 一种大尺寸高红外透过率CdS单晶生长方法 | 2017.01.11 | 本发明公开了一种大尺寸高红外透过率CdS单晶生长方法。首先提纯CdS原料：将称取的原料放入安瓿瓶中， |
| 36 | CN205856650U | 锑化镓晶体生长除杂装置 | 2017.01.04 | 本实用新型公开了一种锑化镓晶体生长除杂装置。该除杂装置包括除杂连接件和除杂坩埚两部分，并通过除杂连接 |
| 37 | CN106280335A | 一种易着色的3D打印用聚乳酸材料及其染色工艺 | 2017.01.04 | 本发明涉及一种易着色的3D打印用聚乳酸材料及其染色工艺，各种原材料的质量百分数配比为，右旋聚乳酸PD |
| 38 | CN205856654U | 有效抑制氧化镓晶体缺陷的生长装置 | 2017.01.04 | 本实用新型公开了一种有效抑制氧化镓晶体缺陷的生长装置。该装置包括构成单晶炉内多个热场部件，多个热场部 |
| 39 | CN106181734A | 一种用于氮化镓单晶片的合成树脂锡盘双面抛光方法 | 2016.12.07 | 本发明公开一种用于氮化镓单晶片的合成树脂锡盘双面抛光方法。本方法使用双面抛光机，上盘和下盘为合成树脂 |
| 40 | CN106128938A | 一种VDMOS器件用薄Sb衬底上制备厚层外延的方法 | 2016.11.16 | 本发明涉及一种VDMOS器件用薄Sb衬底上制备厚层外延的方法。将外延炉石墨基座下方的9组调节杆的刻度 |
| 41 | CN106064326A | 一种用于锑化镓单晶片的抛光方法 | 2016.11.02 | 本发明公开了一种用于锑化镓单晶片的抛光方法。粗抛光采用氧化铈抛光垫，抛光液中含有粒径为W1的氧化铝磨 |
| 42 | CN106057650A | 一种LDMOS晶体管用硅外延片的制备方法 | 2016.10.26 | 本发明涉及一种LDMOS晶体管用硅外延片的制备方法。先对外延炉基座进行腐蚀；向外延炉桶式基座片坑内装 |
| 43 | CN106048723A | 一种采用提拉法生长氧化镓晶体的固液界面控制方法 | 2016.10.26 | 本发明公开了一种采用提拉法生长氧化镓晶体的固液界面控制方法，是在单晶炉体中设有作为第二热源的辅助加热 |
| 44 | CN106012022A | 一种提高半绝缘氮化镓单晶电阻率均匀性的Fe掺杂方法 | 2016.10.12 | 本发明公开了一种提高半绝缘氮化镓单晶电阻率均匀性的Fe掺杂方法。将表面清洁的蓝宝石衬底放入系统炉中， |
| 45 | CN105970289A | 一种生长大尺寸氧化镓单晶的掺杂方法 | 2016.09.28 | 本发明公开了一种生长大尺寸氧化镓晶体的掺杂方法。其步骤：一.采用Ga<sub>2</sub>O<su |
| 46 | CN105970290A | 一种有效抑制氧化镓晶体缺陷的生长装置 | 2016.09.28 | 本发明公开了一种有效抑制氧化镓晶体缺陷的生长装置。该装置包括构成单晶炉内多个热场部件，多个热场部件水 |
| 47 | CN104357912B | 一种感应加热炉内的钨坩埚保护方法 | 2016.09.21 | 本发明涉及一种感应加热炉内的钨坩埚保护方法。该方法是将耐高温且不与碳反应的支架放置在石墨保温层上，支 |
| 48 | CN104371560B | 一种用于AlN籽晶粘贴的铝基高温粘结剂及其制备方法 | 2016.09.21 | 本发明涉及一种用于AlN籽晶粘贴的铝基高温粘结剂及其制备方法。该粘结剂按重量百分比组成：氮化铝为30 |
| 49 | CN104213195B | 一种低温PVT控制单晶生长包裹物缺陷的方法 | 2016.08.24 | 本发明涉及一种控制低温PVT体单晶生长包裹物缺陷的方法,步骤如下：采用PVT单晶炉,在单晶生长初期的 |
| 50 | CN103545704B | 植入式侧面泵浦耦合方法 | 2016.07.13 | 本发明公开了一种植入式侧面泵浦耦合方法，其特征在于：它包括一根双包层有源光纤，用于产生激光或者对激光 |
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